Vishay IRFP22N60KPBF
$ 4.72
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-12-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-04
LTD Date2025-05-04
Pièces détachées
VishayIRFP26N60LPBF
MOSFET, N-CH, 600V, 26A, TO-247; Available until stocks are exhausted Alternative available
STMicroelectronicsSTW24N60DM2
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFP22N60KPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 600 V 0.28 Ohm 150 nC 370 W Flange Mount Mosfet - TO-247AC
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
N CHANNEL MOSFET, 600V, 22A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:22A; On Resistance Rds(on):0.28ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; MSL:- RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.57 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation370 W
Rds On Max280 mΩ
Rise Time99 ns
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité