STMicroelectronics STW23N85K5
$ 3.322
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STW23N85K5 | 3 000 | 600 | |||||||||
| Arrow Electronics | STW23N85K5 | 50 | 1 | |||||||||
| TME | STW23N85K5 | 0 | 1 | 1h | ||||||||
| Avnet | STW23N85K5 | 0 | 600 | 5d | ||||||||
| Future Electronics | STW23N85K5 | 0 | 30 | Tube |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW25N80K5
N-channel 800 V, 0.19 Ohm typ., 19.5 A SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
VishayIRFP22N60KPBF
Single N-Channel 600 V 0.28 Ohm 150 nC 370 W Flange Mount Mosfet - TO-247AC
STMicroelectronicsSTWA20N95K5
Mosfet, N-Ch, 950V, 17.5A, To-247Ll Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STWA20N95K5
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW23N85K5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 850 V, 0.2 Ohm typ., 19 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 850V 19A TO247 / N-Channel 850 V 19A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
N-Channel 850 V 0.275 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage850 V
Drain to Source Resistance275 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)850 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.65 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max275 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant