STMicroelectronics STP28N60M2
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 package
InfineonIPA60R125CPXKSA1
IPA60R125CP Series 650 V 25 A 0.125 Ohm CoolMos Power Transistor - TO-220-3
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP28N60M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 package
STP28N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 650 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Single N-Channel 650 V 0.15 O 190 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh M2series, Vds=650 V, 22 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
Mosfet, N-Ch, 600V, 22A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:22A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP28N60M2
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max150 mΩ
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant