STMicroelectronics STF28N60M2
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP N-Channel 650 V 25A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
InfineonIPA60R125P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP N-Channel 600 V 30A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF28N60M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
STF28N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
Mosfet, N-Ch, 600V, 22A, To-220Fp; |Stmicroelectronics STF28N60M2
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
Diode Switching 200V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
30W(Tc) 25V 4V@ 250µA 37nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 150mΩ@ 12A,10V 24A 1.37nF@100V TO-220FP Through hole mounting
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max150 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant