STMicroelectronics STP21NM60ND
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-220
STMicroelectronicsSTP28N60DM2
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP21NM60ND fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-220 package
Power Mosfet, N Channel, 17 A, 600 V, 0.17 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STP21NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17 A, 600 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 17A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max220 mΩ
Resistance220 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant