STMicroelectronics STP11NK50Z

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP
$ 1.391
Production
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsSTP11NK50Z10 7681
VericalSTP11NK50Z10 75811
TME
2
STP11NK50Z1661
15h
DigiKey497-12604-5-ND1 0981Tube
NewarkSTP11NK50Z01

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTP11NM60
N-channel 600 V, 0.4 Ohm, 11 A, TO-220, TO-220FP MDmesh(TM) Power MOSFET
Détails
STMicroelectronicsSTP10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Détails
STMicroelectronicsSTP12NM50
Transistor MOSFET N Channel 500 Volt 12 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube
Détails
onsemiFDP12N60NZ
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 12 A, 650 mΩ, TO-220
Détails
onsemiFDP10N60NZ
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600V, 10A, 750mΩ, TO-220
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STP11NK50Z fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP
Win Source
STP11NK50Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 10 A, 500 V, 3-PIN TO-220
RS (Formerly Allied Electronics)
N-channel 500 V, 0.48 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronics
Single N-Channel 500 V 125 W 68 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220, Through Hole
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.48ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Farnell
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:10A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):520Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP11NK50Z
Newark

Images

RS
DKO Electronshik
Newark
TME
Micros
Lanka Micro
LZChips
Future Electronics
Newark
iiiC

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • STP 11NK50Z
  • STP11NK50Z.