STMicroelectronics STI24NM60N
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTFI24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTFI24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
onsemiFQI12N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STI24NM60N fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET I2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
125W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 46nC@ 10 V 1N 600V 190m¦¸@ 8A,10V 17A 1.4nF@50V I2PAK
Mosfet, N Channel, 600V, 17A, To-262; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STI24NM60N
MOSFET N-Channel 650V 17A I2PAK
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time16.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time11.5 ns
Dimensions
Height10.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant