STMicroelectronics STI24N60M2
$ 1.062
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STI24N60M2.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles STMicroelectronics STI24N60M2, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTFI24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTFI31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTFI26N60M2
N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a I2PAKFP package
InfineonSPI21N50C3XKSA1
Cool MOS™ Power Transistor / Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STI24N60M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STI24N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 650 V, 3-PIN I2PAK
N-Channel 600 V 190 mOhm Through Hole MDmesh II Plus Power Mosfet - I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
150W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 29nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 190m¦¸@ 9A,10V 18A 1.06nF@100V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting 10mm*4.4mm*8.95mm
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max190 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STI24N60M2.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant