STMicroelectronics STI20N65M5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTFI20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STI20N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK / N-Channel 650 V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Power Mosfet, N Channel, 18A, To-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.19Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STI20N65M5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.434 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant