STMicroelectronics STFI20N65M5
$ 2.08
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Mouser | 511-STFI20N65M5 | 1 405 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STFI20N65M5 | 127 | 600 | Tube | 12h | |||||||
| Win Source | WS-STFI20N65M5 | 20 | 14 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | STFI20N65M5 | 10 697 | 7 | Tube | 18h | |||||||
| SHENGYU ELECTRONICS | STFI20N65M5 | 4 362 | 1 | 4d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTI20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm, 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET I2PAK
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STFI20N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STFI20N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 710 V, 3-Pin I2PAKFP
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.434 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max190 mΩ
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time11.5 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height10.85 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant