STMicroelectronics STGWT40V60DF
$ 4.6
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13771-5-ND | 7 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STGWT40V60DF | 0 | 600 | 2d | ||||||||
| Win Source | WS-STGWT40V60DF | 300 | 13 | 1h | ||||||||
| Worldway Electronics | STGWT40V60DF | 9 710 | 7 | Tube | 1d | |||||||
| Utmel Electronic | 2381-STGWT40V60DF | 1 | Tube | 10h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -56.25%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STGWT40V60DF.
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTGW40V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
STMicroelectronicsSTGW40V60DLF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STGWT40V60DF fournies par ses distributeurs.
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT Trench gate,600V 40A/100 deg, TO-3P
16/32-Bits Micros |Stmicroelectronics STGWT40V60DF
STMICROELECTRONICS STGWT40V60DF
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation283 W
Reverse Recovery Time41 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height26.7 mm
Length15.7 mm
Width5.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant