STMicroelectronics STGP40V60F
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-20
LTD Date2023-09-20
Pièces détachées
LittelfuseIXGP30N60C3D4
High-Frequency Series - 300V - 1400V [>40 kHz] PT (Punch Through) IGBTs, TO-220AB, RoHS
InfineonIRGB4062DPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 48A 250W TO220AB
STMicroelectronicsSTGF30H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 31000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
STMicroelectronicsSTGF10NC60KD
STGF10NC60KD Series 600 V 9 A N-Channel Power Mesh IGBT - TO-220FP
InfineonIRG4IBC30WPBF
IRG4IBC30WPbF Series 600 V 17 A Flange Mount N-Channel IGBT - TO-220 Full-Pak
STMicroelectronicsSTGF14NC60KD
STGF14NC60KD Series 600 V 11 A Flange Mount Short-Circuit Rugged IGBT - TO-220FP
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STGP40V60F fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
STGP40V60F, IGBT Transistor, 40 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 600V, 80A, TO-220AB; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: 283W; Collector Emitter Vol; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation283 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time208 ns
Turn-On Delay Time52 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant