onsemi FGH40N60SMDF
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 2.498
$ 2.34
Stock
111,150
42,595
Authorized Distributors
3
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
Max Collector Current
80 A
80 A
Power Dissipation
349 W
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9 V
2.5 V
Reverse Recovery Time
90 ns
90 ns
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-05-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2023-06-15
LTD Date2023-12-15
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTGWA45HF60WDI
IGBT 600V 80A 310W TO247 / IGBT 600 V 80 A 310 W Through Hole TO-247-3
STMicroelectronicsSTGW60V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed
STMicroelectronicsSTGW39NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
onsemiNGTB45N60S1WG
ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Descriptions
Descriptions de onsemi FGH40N60SMDF fournies par ses distributeurs.
FGH40N60SMDF Series 600 V 80 A 92 ns Flange Mount Field Stop IGBT - TO-247
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
IGBT,N CH,FAST,W/DIO,600V,80A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Power Dissipation Pd:349W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Power Dissipation Max:349W
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current80 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation349 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation349 W
Reverse Recovery Time90 ns
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Length15.6 mm
Width4.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité