STMicroelectronics STGW60H65F

Name: STMicroelectronics STGW60H65F
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGW60H65F

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

$ 3.942

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Verical	STGW60H65F	1 200	2			3,942	3,942	3,942	3,942
Arrow Electronics	STGW60H65F	1 200	1		3,942	3,942	3,942	3,942	3,942
Win Source	WS-STGW60H65F	20	24				1,663	1,394	1,394	2h
Worldway Electronics	STGW60H65F	8 100	7	Tube		1,182	1,146	1,086	1,086	1h
Aztech	STGW60H65F	9 860			1,190	1,190	1,190	1,190	1,190	22h

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Datasheet14 pagesIl y a 14 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-07-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTGW80H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

Détails

onsemiFGH60N60SMD

FGH60N60SMD Series 600 V 60 A Through Hole Field Stop IGBT - TO-247-3

Détails

onsemiFGH75T65SHDTL4

IGBT 650V 150A 455W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Détails

InfineonIGW75N65H5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Détails

onsemiFGH75T65UPD

FGH75T65UPD Series 650 V 150 A 375 W Field Stop Trench IGBT - TO-247-3

Détails

InfineonIKW75N65EH5XKSA1

650V DuoPack IGBT and full-rated diode High speed series fifth generation

Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STGW60H65F fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT

STMicroelectronics

Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

IGBT Transistors 60A 650V FST IGBT Very High Switching

Utmel Electronic

Images

Augswan

Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-247

MountThrough Hole

Number of Terminals3

Weight6.500007 g

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage650 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V

Element ConfigurationSingle

Max Collector Current120 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation360 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time210 ns

Turn-On Delay Time65 ns

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant