STMicroelectronics STD9N65M2
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD9HN65M2
N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
InfineonIPD80R1K0CEATMA1
TRANSISTOR, MOSFET, 800V COOLMOS CE POWER, N-CHANNEL, 800V, 18A, TO252
InfineonIPD50R650CEAUMA1
Mosfet Transistor, N Channel, 6.1 A, 500 V, 0.59 Ohm, 13 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD9N65M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Power Mosfet, N Channel, 5 A, 650 V, 0.79 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD9N65M2
60W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 10nC@ 10 V 1N 650V 900m¦¸@ 2.5A,10V 5A 315pF@100V DPAK,TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MDmesh M2 Series 650 V 5 A 0.9 Ohm 60 W Single N-Channel MOSFET - DPAK
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Power MOSFETs, 650V, 5A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 5A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.79ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 60W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance315 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max900 mΩ
Rise Time6.6 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time22.5 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
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