Infineon IPD65R660CFDBTMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
$ 0.614
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPD65R660CFDBTMA15 000
16h
Farnell
2
IPD65R660CFDBTMA101Cut Tape
2h
Microchip USAIPD65R660CFD141300Bulk
8h
VericalIPD65R660CFDBTMA15 000406
Component Stockers USAIPD65R660CFDBTMA116
1d

Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPD65R660CFDBTMA1
InfineonIPD65R660CFDATMA1
Price @ 1000
$ 0.614
$ 0.813
Stock
241,102
94,036
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-252-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
6 A
6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
660 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
63 W
63 W
Input Capacitance
615 pF
-

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-09-30
LTD Date2021-03-31

Pièces détachées

InfineonIPD60R520CPBTMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 6.8A 3-Pin TO-252 T/R
Détails
VishaySIHD6N65E-GE3
E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK
Détails
InfineonIPD65R600C6BTMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / 650V CoolMOS C6 Power Transistor
Détails
InfineonSPD07N60C3BTMA1
Single N-Channel 650 V 600 mOhm 21 nC SIPMOS® Power Mosfet - TO-252-3
Détails
STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Détails
onsemiFCD850N80Z
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 6 A, 850 mΩ, DPAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD65R660CFDBTMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2
Best Source
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO
Fmall Co., Limited
MOSFET, N-CH, 650V, 6A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.594ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: -; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CFD2 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Images

TME
Farnell
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD65R660CFD