STMicroelectronics STD4NK60Z-1

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK
$ 0.444
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
2
STD4NK60Z-13 0001
Verical
2
STD4NK60Z-13 0003K
TME
2
STD4NK60Z-13161
19h
DigiKey497-19650-ND81Tube
AvnetSTD4NK60Z-103K
1d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STD4NK60Z-1.

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Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTU5N52K3
N-channel 525 V, 1.2 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTU5N62K3
N-channel 620 V, 1.28 Ohm typ., 4.2 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
Détails
onsemiFCU5N60TU
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 4.6 A, 950 mΩ, IPAK
Détails
onsemiFQU5N60CTU
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 2.8 A, 2.5 Ω, IPAK
Détails
STMicroelectronicsSTU6N60M2
N-channel 600 V, 1.06 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Détails
InfineonSPS04N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3 / Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STD4NK60Z-1 fournies par ses distributeurs.

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK
STMicroelectronics
Mosfet Transistor, N Channel, 2 A, 600 V, 1.76 Ohm, 10 V, 3.75 V |Stmicroelectronics STD4NK60Z-1
Newark
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube / MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Win Source
MOSFET, N CH, 600V, 4A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1.76ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:4A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:70W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Augswan
TME
LZChips
Future Electronics

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • STD4NK60Z1