STMicroelectronics STD120N4LF6
$ 0.986
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STD120N4LF6 | 7 500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | STD120N4LF6 | 7 500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | 497-11097-1-ND | 38 956 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | STD120N4LF6 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | STD120N4LF6 | 0 | 2500 | 6d |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD120N4F6
N-channel 40 V, 3.5 mOhm, 80 A STripFET F6 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD155N3H6
N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD120N4LF6 fournies par ses distributeurs.
Mosfet Transistor, N Channel, 80 A, 40 V, 0.004 Ohm, 10 V, 1 V |Stmicroelectronics STD120N4LF6
N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 40V, 80A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max4 mΩ
Resistance4 MΩ
Rise Time95 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant