onsemi FDD8880
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 0.376
$ 0.481
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Stock
1,708,976
258,459
258,459
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DPAK
TO-252
TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
35 A
35 A
35 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
-
Rds On Max
9 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
-
Power Dissipation
55 W
-
-
Input Capacitance
1.26 nF
-
-
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-05-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLIFETIME (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD70NS04ZL
Power MOSFET, N Channel, 33 V, 70 A, 10.5 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD8880 fournies par ses distributeurs.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 58A, 9mΩ
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,13A I(D),TO-252AA
N-Channel 30 V 58 A 9 mOhm PowerTrench Mosfet TO-252AA
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK / Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 30V, 58A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.007ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating58 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.26 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time91 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité