onsemi FCB070N65S3
$ 3.629
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FCB070N65S3 | 16 921 | 235 | 2d | ||||||||
| Newark | FCB070N65S3 | 156 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | FCB070N65S3 | 710 | 1 | |||||||||
| Verical | FCB070N65S3 | 710 | 2 | |||||||||
| DigiKey | FCB070N65S3CT-ND | 2 670 | 1 | Cut Tape |
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB43N65M5
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK package
STMicroelectronicsSTB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK / N-Channel 500 V 35A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB42N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
VishaySIHB33N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FCB070N65S3 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 70 mΩ, D2PAK
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK / N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 650V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
MOSFET, N-CH, 650V, 44A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 44A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Power Dissipation Pd: 312W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: SuperFET III Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
SuperFET® III MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brandnew high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advancetechnology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dtrate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.09 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation312 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation312 W
Rds On Max70 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time89 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité