STMicroelectronics STB35NF10
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 1.2
$ 1.18
Stock
49,426
607,732
Authorized Distributors
1
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
100 V
Continuous Drain Current (ID)
40 A
40 A
Threshold Voltage
-
3 V
Rds On Max
-
35 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
115 W
Input Capacitance
1.55 nF
1.55 nF
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB35NF10 fournies par ses distributeurs.
STB35NF10 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 40 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Modèles CAO
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Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Resistance35 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.55 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
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