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STMicroelectronics SCT50N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
$ 19.251
Obsolete
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Future Electronics
2
SCT50N120
477
2
Tube
USD
17,740
17,440
17,190
17,190
Verical
2
SCT50N120
575
2
USD
19,251
19,251
19,251
19,251
Arrow Electronics
2
SCT50N120
632
1
USD
27,471
22,135
22,135
22,135
22,135
DigiKey
497-16598-5-ND
228
1
Tube
USD
29,350
29,350
18,963
16,875
16,875
TME
2
SCT50N120
48
1
USD
27,710
25,230
25,220
25,220
25,220
16h

Fiches techniques et documents

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Future Electronics

Datasheet12 pagesIl y a 9 ans

TME

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15

Pièces détachées

STMicroelectronicsSCT30N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
Détails
STMicroelectronicsSCT10N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
Détails
STMicroelectronicsSCT20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
Détails
VishayIRFPG40PBF
Transistor MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin (3+Tab) TO-247AC
Détails
VishayIRFPF40PBF
Single N-Channel 900 V 2.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Détails
VishayIRFPF50PBF
Single N-Channel 900 V 1.6 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics SCT50N120 fournies par ses distributeurs.

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
STMicroelectronics
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Digi-ic_SMART PIONEER
N-Channel 1200 V 59 mO 122 nC Silicon Carbide Power Mosfet - HiP247
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 65A, HIP247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:20V; Power Dissipation:318W RoHS Compliant: Yes
Newark

Images

Farnell
Augswan
TME
RS
Lanka Micro
Future Electronics

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics