STMicroelectronics SCT10N120

Name: STMicroelectronics SCT10N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT10N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

$ 6.709

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SCT10N120	209	1		7,370	7,370	7,370	7,370	7,370
Verical		SCT10N120	10	10			6,709	6,709	6,709	6,709
TME	2	SCT10N120	56	1		9,720	8,850	8,850	8,850	8,850	20h
Avnet		SCT10N120	0	600					4,175	4,022	5d
Future Electronics		SCT10N120	0	30	Tube			4,420	4,260	4,190

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Future Electronics

Datasheet14 pagesIl y a 9 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-05-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTW21N150K5

N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 packge

Détails

STMicroelectronicsSCT20N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package

Détails

VishayIRFPF50PBF

Single N-Channel 900 V 1.6 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

Détails

VishayIRFPG50PBF

IRFPG50PBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.1 A, 1000 V, 3-PIN TO-247AC

Détails

VishayIRFPG30PBF

Single N-Channel 1000 V 5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

Détails

STMicroelectronicsSTW10N105K5

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics SCT10N120 fournies par ses distributeurs.

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

STMicroelectronics

N-Channel 1200 V 520 mO 22 nC Silicon Carbide power Mosfet - HiP247

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube

Verical

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 12A, HIP247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:20V; Power Dissipation:150W RoHS Compliant: Yes

Newark

Images

Farnell

Lanka Micro

Future Electronics

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :