STMicroelectronics SCT30N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
$ 16.92
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsSCT30N1203462Tube
TME
2
SCT30N120161
9h
NewarkSCT30N12001
AvnetSCT30N1200600
14h
FarnellSCT30N1205761
11h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics SCT30N120.

STMicroelectronics

Datasheet13 pagesIl y a 13 ans

Future Electronics

element14 APAC

Newark

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-28.90%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles STMicroelectronics SCT30N120, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15

Pièces détachées

STMicroelectronicsSCT20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
Détails
VishayIRFPF40PBF
Single N-Channel 900 V 2.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Détails
VishayIRFPG40PBF
Transistor MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin (3+Tab) TO-247AC
Détails
VishayIRFPF30PBF
Single N-Channel 900 V 3.7 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Détails
STMicroelectronicsSTWA40N95K5
N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
Détails
STMicroelectronicsSTW23N85K5
N-channel 850 V, 0.2 Ohm typ., 19 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics SCT30N120 fournies par ses distributeurs.

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
STMicroelectronics
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
Single N-Channel 1200 V 270 W 105 nC SiC Through Hole Mosfet - HiP247
Future Electronics
MOSFET, N CH, 1.2KV, 40A, HIP247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V; Threshold Voltage Vgs: 2.6V;
Farnell
Mosfet, N Ch, 1.2Kv, 40A, Hip247-3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:40A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:1.2Kv; Resistencia De Activación Rds(On):0.08Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):20V |Stmicroelectronics SCT30N120
Newark

Images

Farnell
Newark
TME
Lanka Micro
Future Electronics

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics