Vishay IRFPG30PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW7N105K5
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTW23N80K5
N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronicsSTW10N105K5
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFPG30PBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 1000 V 5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.1A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Di
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance980 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation125 W
Rds On Max5 Ω
Resistance5 Ω
Rise Time24 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time89 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité