ROHM RUR040N02TL
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-06-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRLML2502TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML2502GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 20V, 4.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Diodes Inc.DMP2066LSN-7
Mosfet, P-Ch, 20V, 4.6A, Sc-59 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2066LSN-7
Descriptions
Descriptions de ROHM RUR040N02TL fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A
MOSFET, N-CH, 20V, 4A, TSMT3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.025ohm; Rds(o; Available until stocks are exhausted Alternative available
Mosfet, N Channel, 20V, 4A, Tsmt3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:20V; Resistencia De Activación Rds(On):0.025Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):4.5V |Rohm RUR040N02TL
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance46 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance680 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs300 mV
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max35 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2.9 mm
Width1.6 mm
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