onsemi FDN339AN
$ 0.197
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -4.90%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDN339AN, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRLML6402TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -3.7A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-12V
InfineonIRLML6402GTRPBF
Single P-Channel 20 V 1.3 W 8.0 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23
Descriptions
Descriptions de onsemi FDN339AN fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 3A, 35mΩ
Single N-Channel 20 V 0.061 Ohm 0.5 W PowerTrenChannel SMT Mosfet - SSOT-3
N-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, SMD, SUPERSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV; Power Dissipation Pd:500mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:3A; Package / Case:SuperSOT-3; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:850mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 35 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 5 / Rise Time ns = 10 / Turn-OFF Delay Time ns = 18 / Turn-ON Delay Time ns = 8 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 500
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -4.90%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance700 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs850 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation460 mW
Rds On Max35 mΩ
Resistance35 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage850 mV
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.12 mm
Length2.92 mm
Width1.4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité