Rochester Electronics BSM25GB120DN2

Trans IGBT Module N-CH 1200V 38A 200000mW 7-Pin 34MM-1
$ 33.13
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Rochester Electronics BSM25GB120DN2.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 26 ans
Datasheet0 pageIl y a 0 an

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
Restocked

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-03-31
LTD Date2015-09-30

Pièces détachées

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130000mW 23-Pin EASY1B-1 Tray
Trans IGBT Module N=-CH 1200V 45A 205000mW 18-Pin EASY1B Tray
FULL-BRIDGE NPT IGBT POWER MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35A120T1G

Descriptions

Descriptions de Rochester Electronics BSM25GB120DN2 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 38A 200000mW 7-Pin 34MM-1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
BSM25GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS;

Alias du fabricant

Rochester Electronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Rochester Electronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • Rochester Electronics LLC
  • ROCHESTER
  • ROCHESTER ELECTRONIC
  • ROCHESTER ELECTRONICS INC
  • ONSEMI (VIA ROCHESTER)
  • Rochester Electron
  • ROCHESTER(REI)
  • ROCHESTER INSTRUMENT
  • REI
  • Triscend Corp
  • NFROCHESTER
  • ROCHESTER ELECT INC
  • Rochester(Intersil)
  • Rochester Elec

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSM 25 GB 120 DN2