Infineon FS25R12W1T4BOMA1

Trans IGBT Module N=-CH 1200V 45A 205000mW 18-Pin EASY1B Tray
$ 19.848
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsFS25R12W1T4BOMA1181
Rochester ElectronicsFS25R12W1T4BOMA124
21h
DigiKeyFS25R12W1T4BOMA1-ND121Tray
Future ElectronicsFS25R12W1T4BOMA1024Tray
AvnetFS25R12W1T4BOMA1024
2d

Fiches techniques et documents

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Infineon

Datasheet1 pageIl y a 14 ans

IHS

element14 APAC

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonFS25R12W1T4BOMA1
InfineonFS25R12W1T4B11BOMA1
Price @ 1000
$ 19.848
$ 20.299
Stock
119,221
88,521
Authorized Distributors
6
6
Case/Package
Module
-
Number of Pins
18
-
Max Output Current
-
-
Min Input Voltage
-
-
Max Input Voltage
-
-
Min Output Voltage
-
-
Max Output Voltage
-
-
Number of Outputs
-
-

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-06-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonFP15R12W1T4B3BOMA1
Infineon FP15R12W1T4B3BOMA1 Common Collector IGBT Module, 28 A 1200 V, 23-Pin EASY1B, PCB Mount
Détails
InfineonFP15R12W1T4BOMA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130000mW 23-Pin EASY1B-1 Tray
Détails
InfineonFS50R12W2T4BOMA1
EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Détails
MicrochipAPTGT35A120T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35A120T1G
Détails
MicrochipAPTGT35H120T3G
Pm-Igbt-Tfs-Sp3F Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35H120T3G
Détails
MicrochipAPTGFQ25H120T2G
FULL-BRIDGE NPT IGBT POWER MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon FS25R12W1T4BOMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Module N=-CH 1200V 45A 205000mW 18-Pin EASY1B Tray
Verical
IGBT, LOW POW, 1200V, 25A, EASYPACK; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.85V; Power Dissipation Pd: 205W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Trans
Farnell
Igbt Module; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:25A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.2Kv; Disipación De Potencia Pd:205W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:1.2Kv; Núm. De Contactos:18 |Infineon FS25R12W1T4
Newark
EasyPACK™1B 1200 V, 25 A sixpack IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC. Also available as variation with PressFIT mounting technology: FS25R12W1T4_B11. Also available as variation with PressFIT mounting technology: FS25R12W1T4_B11 or with TRENCHSTOP™ IGBT7: FS25R12W1T7.
Infineon

Images

RS
element14 APAC
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FS25R12W1T4
  • SP000255353