Renesas NP100P06PDG-E1-AY

Name: Renesas NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas
SKU: NP100P06PDG-E1-AY

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 2.766

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		NP100P06PDG-E1-AY	2 453	1		6,220	4,250	3,080	2,960	2,960
Renesas		NP100P06PDG-E1-AY	892	1		6,590	4,419	3,189	2,548	2,420	22h
DigiKey	3	559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND	892	1	Cut Tape	6,590	4,419	3,189	3,189	3,189
Avnet		NP100P06PDG-E1-AY	0	800					2,766	2,482	1d
Farnell		NP100P06PDG-E1-AY	2 453	1		6,266*	4,276*	3,106*	2,878*	2,878*	23h

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Integrated Device Technology

Datasheet8 pagesIl y a 3 ans

Datasheet9 pagesIl y a 19 ans

Datasheet8 pagesIl y a 3 ans

IHS

Renesas

Modèles CAO

Table des broches

Numéro

Catégorie

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Informations sur le modèle

Fournisseur :	Renesas
Date de publication	Aug 14, 2025
Conforme à la norme IPC	IPC-7351B
Révision du guide de style	Version 1.0 - Nov 1, 2024
Source de la fiche technique	Version 1.00 - Jun 10, 2022

Vérification

Sur la base du guide de style et de la fiche technique de cette pièce, trois experts indépendants en ingénierie électronique ont créé :

3 versions du symbole et empreinte en 2D
1 version du modèle 3D STEP (format STEP AP-214)
Configuration d'une palette de couleurs pour un fabricant

Tous les fichiers de bibliothèque créés sont indépendants de la cartographie des couches et peuvent être facilement cartographiés selon votre conception.

Les symboles et les empreintes créés sont ensuite comparés à l'aide des critères suivants :

Symbole

Contrôles automatisés

Numéro de pièce
Paramètres clés
Code du package
Noms/numéros des broches
Types de broches

Vérifications manuelles

Organisation des broches selon le guide de style

Empreinte

Contrôles automatisés

Norme IPC
Dégagement de la sérigraphie
Excédents de Courtyard
Contour du package
Marquage de polarité
Vérification des dimensions et de la position des pastilles.

Modèle 3D STEP

Vérifications manuelles

Vérification des dimensions
Conformité de la palette de couleurs
Conformité du format
Cartographie de l'orientation par rapport à une empreinte en 2D
Vérification de la position par rapport à une empreinte en 2D

Un processus de vérification final est effectué :

Si les symboles et les empreintes correspondent : la pièce est vérifiée comme étant prête pour l'ECAD.

Si les symboles et les empreintes ne correspondent pas : un ingénieur électronique expérimenté examinera toutes les différences pour s'assurer que la pièce répond aux exigences du guide de style et de la fiche technique.

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Ce composant

Pièces de rechange

RenesasNP100P06PDG-E1-AY

RenesasNP100P06PLG-E1-AY

Price @ 1000

$ 2.766

$ 2.681

Stock

216,357

45,473

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-263

Drain to Source Voltage (Vdss)

-60 V

Continuous Drain Current (ID)

-100 A

Threshold Voltage

Rds On Max

6 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

-20 V

Power Dissipation

1.8 W

Input Capacitance

15 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095

Introduction Date2007-05-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)

Descriptions

Descriptions de Renesas NP100P06PDG-E1-AY fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet Silica

Trans MOSFET P-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

NP100P06PDG P-Channel 60 V 7.8 mOhm 200 W 300 nC Switching MosFet - TO-263

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

Images

UTSource

Alias du fabricant

Renesas possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Renesas peut également être connu sous les noms suivants :

Renesas Electronics
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
RENESA
REN
RENES
RENESAS TECHNOLOGY CORP
RENESAS TECHNOLOGY
Renesas Electronics Corporation
RENESAS ELECTRONICS CORP
RENSAS
RENASAS
Renesas / Intersil
RNS
RENESAS-PB
RENESASTEC
RENESES
Renesas Technology America
Renesas Design Germany GmbH
Renesas / IDT
RENESASE
RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
Renesas Electronics Operations Services Limited
RENEASAS
RENESAS/M

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-263

MSL1

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)-100 A

Drain to Source Resistance7.8 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V

Fall Time100 ns

Part FamilyNP100P06PDG

Gate to Source Voltage (Vgs)-20 V

Input Capacitance15 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation200 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation1.8 W

Rds On Max6 mΩ

Rise Time35 ns

Turn-Off Delay Time275 ns

Turn-On Delay Time28 ns

Dimensions

Height4.65 mm

Length10 mm

Width9 mm

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Fiche technique officielleIl y a 3 ans

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement2 pagesIl y a 12 ans

Conflict Mineral Statement2 pagesIl y a 12 ans