Renesas 2SK1317-E

Name: Renesas 2SK1317-E
Brand: Renesas
SKU: 2SK1317-E

Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

$ 11.36

EOL

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributeurs de solutions de stockage non agréés

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Distributor	SKU		Min	Pkg
DigiKey	2SK1317-E-ND	810		Tube
Mouser	968-2SK1317-E	84 467	1	Tube	13,710	12,300	11,570	11,360	11,360
Microchip USA	2SK1317-E	1 587	150	Tube				16,592	16,592	18h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.	2SK1317-E	3 600	1	Tape & Reel	2,991	2,991	2,991	2,991	2,991	1d
Win Source	WS-2SK1317-E	3 600	11				3,672	3,672	3,672	1d

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Integrated Device Technology

Datasheet9 pagesIl y a 20 ans

Newark

TME

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Table des broches

Numéro

Catégorie

Afficher le nom et les fonctions

Informations sur le modèle

Fournisseur :	Renesas
Date de publication	Aug 14, 2025
Conforme à la norme IPC	IPC-7351B
Révision du guide de style	Version 1.0 - Nov 1, 2024
Source de la fiche technique	Version 2.00 - Sep 7, 2005

Vérification

Sur la base du guide de style et de la fiche technique de cette pièce, trois experts indépendants en ingénierie électronique ont créé :

3 versions du symbole et empreinte en 2D
1 version du modèle 3D STEP (format STEP AP-214)
Configuration d'une palette de couleurs pour un fabricant

Tous les fichiers de bibliothèque créés sont indépendants de la cartographie des couches et peuvent être facilement cartographiés selon votre conception.

Les symboles et les empreintes créés sont ensuite comparés à l'aide des critères suivants :

Symbole

Contrôles automatisés

Numéro de pièce
Paramètres clés
Code du package
Noms/numéros des broches
Types de broches

Vérifications manuelles

Organisation des broches selon le guide de style

Empreinte

Contrôles automatisés

Norme IPC
Dégagement de la sérigraphie
Excédents de Courtyard
Contour du package
Marquage de polarité
Vérification des dimensions et de la position des pastilles.

Modèle 3D STEP

Vérifications manuelles

Vérification des dimensions
Conformité de la palette de couleurs
Conformité du format
Cartographie de l'orientation par rapport à une empreinte en 2D
Vérification de la position par rapport à une empreinte en 2D

Un processus de vérification final est effectué :

Si les symboles et les empreintes correspondent : la pièce est vérifiée comme étant prête pour l'ECAD.

Si les symboles et les empreintes ne correspondent pas : un ingénieur électronique expérimenté examinera toutes les différences pour s'assurer que la pièce répond aux exigences du guide de style et de la fiche technique.

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-08-01

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2026-03-31

LTD Date2027-03-31

Manufacturer Lifecycle StatusLAST TIME BUY (Last Updated: 3 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTFW3N150

N-channel 1500 V, 6 Ohm, 2.5 A, PowerMESH(TM) power MOSFET in TO-3PF

Détails

STMicroelectronicsSTW3N150

N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.5 A PowerMESH(TM) power MOSFET in TO-247 package

Détails

STMicroelectronicsSTP3N150

N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.5 A PowerMESH(TM) power MOSFET in TO-220 package

Détails

Panasonic2SK3747

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Détails

onsemi2SK3746

Tray Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 2A Ta 2A 2.5W 59ns

Détails

onsemiNDFP03N150CG

N-Channel 1500 V 2.5 A 10.5 Ohm Flange Mount Power Mosfet -TO220FP

Détails

Descriptions

Descriptions de Renesas 2SK1317-E fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Verical

SILICON N CHANNEL MOS FET Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1500V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Mosfet, N-Ch, 1.5Kv, 2.5A, To-3P; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:1.5Kv; Continuous Drain Current Id:2.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:15V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Renesas 2SK1317-E

Newark

Images

Alias du fabricant

Renesas possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Renesas peut également être connu sous les noms suivants :

Renesas Electronics
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
RENESA
REN
RENES
RENESAS TECHNOLOGY CORP
RENESAS TECHNOLOGY
Renesas Electronics Corporation
RENESAS ELECTRONICS CORP
RENSAS
RENASAS
Renesas / Intersil
RNS
RENESAS-PB
RENESASTEC
RENESES
Renesas Technology America
Renesas Design Germany GmbH
Renesas / IDT
RENESASE
RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
Renesas Electronics Operations Services Limited
RENEASAS
RENESAS/M

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

2SK1317-E.
2SK1317E

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Spécifications techniques

Physical

MSL1

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.5 A

Drain to Source Resistance12 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)1.5 kV

Fall Time60 ns

Part Family2SK1317

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance990 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation100 W

Manufacturer Package IdentifierPRSS0004ZE-A

Min Breakdown Voltage1.5 kV

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Elements1

Power Dissipation100 W

Rds On Max12 Ω

Rise Time70 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time110 ns

Turn-On Delay Time17 ns

Dimensions

Height5 mm

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Fiche technique officielleIl y a 20 ans

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement2 pagesIl y a 12 ans

Conflict Mineral Statement2 pagesIl y a 13 ans