onsemi NTMD4N03R2G

Name: onsemi NTMD4N03R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G Dual N-channel Mosfet Transistor, 4 A, 30 V, 8-PIN SOIC

$ 0.336

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	3	NTMD4N03R2G	1 797	982					0,382	0,314
Master Electronics		NTMD4N03R2G	2 500	100				0,513	0,333	0,270
Onlinecomponents.com		NTMD4N03R2G	2 500	100	Bulk			0,513	0,333	0,270
Rochester Electronics		NTMD4N03R2G	20 284					0,340	0,282	0,251	16h
DigiKey	3	NTMD4N03R2GOSCT-ND	15 722	1	Cut Tape	1,250	0,786	0,516	0,363	0,278

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onsemiNTMD4N03R2G

onsemiNTMD4N03R2

Price @ 1000

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$ 0.186

Stock

1,286,570

64,770

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

4 A

Threshold Voltage

Rds On Max

60 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2 W

Input Capacitance

400 pF

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

InfineonIRF7303PBF

Transistor MOSFET Negative Channel 30 Volt 4.9A 8-Pin SOIC T/R

Détails

InfineonIRF7303TRPBF

Transistor MOSFET Negative Channel 30 Volt 4.9A 8-Pin SOIC T/R

Détails

InfineonIRF7309TRPBF

Dual N/P-Channel 30 V 0.08/0.16 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

onsemiNTMD4884NFR2G

Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Dual Mosfet Transistor 3.3A Ta 5.7A 2.3W 1.4ns

Détails

onsemiFW216A-TL-2W

Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 35V 4.5A 8-Pin SOIC T/R

Détails

Diodes Inc.DMP3050LSS-13

Mosfet, P-Ch, 30V, 4.8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3050LSS-13

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi NTMD4N03R2G fournies par ses distributeurs.

NTMD4N03R2G DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 30 V, 8-PIN SOIC

RS (Formerly Allied Electronics)

N-Channel 30 V 48 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8

Future Electronics

Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8

onsemi

30 VOLTS, 4 AMPS, N-CHANNEL SO-8 DUAL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 4A, SOIC; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.9V

Farnell

N Channel Mosfet, 30V, 4A, Soic, Full Reel; Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:4A; Continuous Drain Current Id P Channel:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMD4N03R2G.

Newark

Images

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

LZChips

Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

NTMD4N03R2G.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOIC

Contact PlatingTin

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)4 A

Current Rating4 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance60 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationDual

Fall Time10 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance400 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2 W

Rds On Max60 mΩ

Resistance48 MΩ

Rise Time14 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time16 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height1.5 mm

Length5 mm

Width4 mm

Fiches techniques et documents

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A