onsemi NTD4809NA-35G

Name: onsemi NTD4809NA-35G
Brand: onsemi
SKU: NTD4809NA-35G

Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 30V

$ 0.197

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	NTD4809NA-35G	2 840					0,238	0,197	0,176	14h
Component Stockers USA	NTD4809NA-35G	2 694			0,200	0,200	0,190	0,170	0,170	6d
Worldway Electronics	NTD4809NA-35G	25 859	7	Tube		0,063	0,061	0,057	0,057	16h
Fmall Co., Limited	NTD4809NA-35G	38 350			0,149	0,149	0,139	0,131	0,120	7h
Bettlink	NTD4809NA-35G	2 384			0,458	0,340	0,295	0,276	0,248	19h

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Pièces détachées

onsemiNTD4808N-35G

Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 63A Tc 63A 2W 5.6ns

Détails

onsemiNTD4960N-35G

Power MOSFET 30V 55A 8 mohm Single N Channel DPAK

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InfineonIPS075N03LGAKMA1

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InfineonIPS090N03LGAKMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Détails

InfineonIRLU8726PBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi NTD4809NA-35G fournies par ses distributeurs.

Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 30V

Fly-Wing Technology

MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 58A 9MOHM

Mouser

Trans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

Avnet

NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK;

Farnell

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

NTD4809NA35G

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-251-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Technical

Continuous Drain Current (ID)11.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance9 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.456 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation2 W

Rds On Max9 mΩ

Fiches techniques et documents

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Datasheet8 pagesIl y a 18 ans

Farnell

Conformité

Classification environnementale

Radiation HardeningNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans