Infineon IRLU8726PBF
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Pièces détachées
onsemiNTD4809NA-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 2.3ns
onsemiNTD4815NH-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 6.9A Ta 35A Tc 35A 1.92W 17.6ns
onsemiNTD50N03R-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
InfineonIRFU15N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 17A IPAK N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLU8726PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK N-Channel 30 V 86A (Tc) 75W (Tc) Through Hole IPAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N-CH 30V 86A IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:75W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:86A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:75W; Power Dissipation Pd:75W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.15 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rds On Max5.8 mΩ
Recovery Time36 ns
Rise Time49 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.7056 mm
Width2.3876 mm
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité