onsemi NTD3055L170-1G
Obsolete
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-07-21
LTD Date2011-01-21
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNTD3055-150T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 9A 28.8W 23ns
Descriptions
Descriptions de onsemi NTD3055L170-1G fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 9A, 170mΩ
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 9A 28.5W 38ns
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 9A N-Channel
9 A 60 V 0.17 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:9A; On Resistance, Rds(on):170mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.7V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance170 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance275 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.7 V
Number of Elements1
Power Dissipation28.5 W
Rds On Max170 mΩ
Rise Time69 ns
Turn-Off Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité