onsemi FQD13N06LTM
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Pièces de rechange
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Price @ 1000
$ 0.266
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Stock
804,336
1,562,550
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
DPAK
TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
Rds On Max
115 mΩ
125 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
15 V
Power Dissipation
2.5 W
3.6 W
Input Capacitance
350 pF
338 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQD13N06LTM fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA
N-Channel 60 V 0.115 Ohm Surface Mount LOGIC Mosfet - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
2.5W(Ta)£¬28W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 6.4nC@ 5 V 1individualNChannel 60V 115m¦¸@ 5.5A,10V 11A 350pF@25V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
MOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipation Pd: 28W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance145 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max115 mΩ
Resistance115 mΩ
Rise Time90 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité