onsemi NJW21194G
$ 1.925
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi NJW21194G fournies par ses distributeurs.
Bipolar Transistors (BJT); NJW21194G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 250 V; 16 A
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Bipolar Power Transistors, Complementary, 16 A, 250 V NPN
Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
NJW Series 250 V 16 A Flange Mount NPN Silicon Power Transistor - TO-3P
Bipolar Transistors - BJT 200W NPN
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 250V, TO-3P-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 4MHz; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 16A; DC Current Gain hFE: 8hFE; Transi
TRANSISTOR, NPN, 250V, 16A, TO-3P; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:250V; Continuous Collector Current:16A; Power Dissipation:200W; Transistor Mounting:Through Hole; No. of Pins:3Pins; Transition Frequency:4MHz RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-218-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min8
Max Breakdown Voltage250 V
Max Collector Current16 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency4 MHz
Dimensions
Height20.1 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité