onsemi NJW3281G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi NJW3281G fournies par ses distributeurs.
ON Semi NJW3281G NPN Bipolar Transistor; 15 A; 250 V; 3-Pin TO-3P
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / TRANS NPN 250V 15A TO-3P
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Power Junction Transistors, Complementary, 15 A, 250 V NPN
NJW Series 250 V 15 A Complementary NPN Silicon Power Transistor - TO-3P
TRANSISTOR, NPN, 250V, 15A, TO-3P; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 30MHz; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 15A; DC Current Gain hFE: 45hFE; Transist
Audio Transistor, Npn, 250V; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:250V; Frecuencia De Transición Ft:30Mhz; Disipación De Potencia Pd:200W; Corriente De Colector Dc:15A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:75 |Onsemi NJW3281G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-218-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min45
Max Breakdown Voltage250 V
Max Collector Current15 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Dimensions
Height20.1 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité