onsemi NJVMJD44H11T4G
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.455
$ 0.303
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Stock
11,113,828
8,933,291
8,933,291
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
85 MHz
85 MHz
85 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiMJD44H11T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
onsemiMJD44H11RLG
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi NJVMJD44H11T4G fournies par ses distributeurs.
8 A, 80 V Npn Bipolar Power Transistor/ Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NJVMJD44H11T4G
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
ON Semi NJVMJD44H11T4G NPN Bipolar Transistor; 8 A; 80 V; 3-Pin DPAK
80V 1.75W 60@2A,1V 8A NPN TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJD4H11 Series 80 V 8 A NPN Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor -TO-252-3
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / Complementary Power Transistors
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 80V, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:85MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transi
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency85 MHz
Gain Bandwidth Product85 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current8 A
Max Frequency20 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Transition Frequency85 MHz
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité