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MJD44H11T4G by onsemi

onsemi MJD44H11T4G

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.305

Production

Fiche technique

Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur

SKU

Minimum

Emballage

Prix de gros

2500

USD

Arrow Electronics

1

USD

Future Electronics

2500

Tape & Reel

USD

2500

USD

4h

Master Electronics

100

USD

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Pièces de rechange

1 composant disponible

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Newark

Datasheet9 pagesIl y a 9 ans

Datasheet8 pagesIl y a 10 ans

IHS

onsemi

Farnell

TME

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Pièces de rechange

Ce composant

Pièces de rechange

onsemiMJD44H11T4G

onsemiMJD44H11G

onsemiMJD44H11G

Price @ 1000

$ 0.305

$ 0.465

$ 0.465

Stock

8,838,805

768,410

768,410

Authorized Distributors

6

6

6

Mount

-

-

-

Case/Package

DPAK

DPAK

DPAK

Polarity

NPN

NPN

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

80 V

80 V

80 V

Max Collector Current

8 A

8 A

8 A

Transition Frequency

85 MHz

85 MHz

85 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

1 V

1 V

hFE Min

40

40

40

Power Dissipation

1.75 W

1.75 W

1.75 W

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-08-31

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

MJD44H11G by onsemi

onsemiMJD44H11G

Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

MJD44H11RLG by onsemi

onsemiMJD44H11RLG

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

NJVMJD44H11T4G by onsemi

onsemiNJVMJD44H11T4G

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

Descriptions

Descriptions de onsemi MJD44H11T4G fournies par ses distributeurs.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

Bipolar Transistors (BJT); MJD44H11T4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 80 V; 8 A

8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor

MJD Series 80 V 8 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3

Future Electronics

Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN

Digi-ic_SMART PIONEER

Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Richardson RFPD

TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-252-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 85MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 8A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transis

Images

DKO Electronshik

South Microelectronics

Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

MJD44H11T4G.

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Pièces de rechange

1 composant disponible

Spécifications techniques

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight4.535924 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)5 V

Collector Emitter Breakdown Voltage80 V

Collector Emitter Saturation Voltage1 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V

Current Rating8 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency85 MHz

Gain Bandwidth Product85 MHz

hFE Min40

Max Breakdown Voltage80 V

Max Collector Current8 A

Max Frequency85 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation20 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation1.75 W

Schedule B8541290080

Transition Frequency85 MHz

Voltage Rating (DC)80 V

Dimensions

Height2.38 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

Fiches techniques et documents

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Datasheet9 pagesIl y a 9 ans

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IHS

onsemi

Farnell

TME

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement1 pageIl y a 13 ans

Materials SheetN/AN/A

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A

Rohs StatementN/AN/A