onsemi MJD44H11T4G
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Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MJD44H11T4G | 25 000 | 2500 | 2d | ||||||||
| Newark | MJD44H11T4G | 930 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | MJD44H11T4G | 3 857 | 1 | |||||||||
| Verical | MJD44H11T4G | 197 500 | 2500 | |||||||||
| Future Electronics | MJD44H11T4G | 32 500 | 2500 | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 0.293
$ 0.411
$ 0.411
Stock
9,403,980
624,837
624,837
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
85 MHz
85 MHz
85 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiMJD44H11RLG
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
onsemiNJVMJD44H11T4G
8 A, 80 V Npn Bipolar Power Transistor/ Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NJVMJD44H11T4G
Descriptions
Descriptions de onsemi MJD44H11T4G fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Bipolar Transistors (BJT); MJD44H11T4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 80 V; 8 A
8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
ON Semi MJD44H11T4G NPN Bipolar Transistor; 8 A; 80 V; 3-Pin DPAK
MJD Series 80 V 8 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:8A; Power Dissipation:20W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:85Hz; Dc Current Gain Hfe Min:60Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD44H11T4G.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency85 MHz
Gain Bandwidth Product85 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current8 A
Max Frequency85 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency85 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité