onsemi NJVMJB44H11T4G
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Pièces de rechange
Ce composant
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$ 0.679
$ 0.626
$ 0.626
Stock
877,408
310,544
310,544
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsBUJ105AB,118
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi NJVMJB44H11T4G fournies par ses distributeurs.
Bipolar Power Transistor, NPN, 10 A, 80 V, 50 Watt
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
ON SEMI NJVMJB44H11T4G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 10 A, 80 V, 3-PIN D2PAK
80V 2W 40@4A,1V 10A NPN D2PAK Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
NJVMJB Series NPN 50 W 80 V 10 A Surface Mount Power Transistor - TO-263-3
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
NPN Power Transistor 80V 10A 50W D2PAK
RS APAC
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 80V, TO-263; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transi
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Collector Current10 A
Max Frequency20 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency50 MHz
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.29 mm
Width11.05 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité