onsemi MJB41CT4G
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$ 0.622
$ 0.351
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Stock
840,990
906,245
906,245
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
D2PAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
6 A
6 A
6 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
2 W
1.75 W
1.75 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNJVMJB41CT4G
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
NXP SemiconductorsBUJ105AB,118
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi MJB41CT4G fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
ON Semi MJB41CT4G NPN Bipolar Transistor; 6 A; 100 V; 3-Pin D2PAK
Bipolar Transistors (BJT); MJB41CT4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 100 V; 6 A
6.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
MJB41C Series 100 V 6 A SMT Silicon Plastic Power Transistor - TO-263-3 (D2PAK)
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
ON SEMICONDUCTOR MJB41CT4G POWER TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK
Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max NPN:100V; Collector Emitter Voltage Max PNP:-; Continuous Collector Current NPN:6A; Continuous Collector Current PNP:-; Power Dissipation NPN:65W; Power Dissipation PNP:- RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current6 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.29 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité