onsemi NJD35N04G
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.72
$ 0.702
Stock
120,008
151,586
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
350 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
90 MHz
90 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
hFE Min
300
300
Power Dissipation
-
-
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNJD35N04T4G
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
onsemiNJVNJD35N04T4G
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
onsemiFJD5304DTF
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi NJD35N04G fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
4.0 A, 350 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
NJD Series 350 V 4 A NPN Darlington Power Transistor - TO-252-3
ON SEMI NJD35N04G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 4 A 350 V HFE:300, 3-PIN DPAK
This high voltage power Darlington has been specifically designed for inductive applications such as Electronic Ignition Switching Regulators and Motor Control.
Transistor, Bipol, Npn, 350V; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:350V; Transition Frequency Ft:90Mhz; Power Dissipation Pd:45W; Dc Collector Current:4A; Dc Current Gain Hfe:300Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi NJD35N04G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min300
Max Breakdown Voltage350 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency90 MHz
Voltage Rating (DC)350 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité