onsemi NGTB40N120FLWG
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2017-06-23
LTD Date2017-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
onsemiFGH40T120SMD-F155
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
International RectifierIRG8P50N120KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
InfineonIRG7PH42U-EP
IRG7PH42U-EP Series 1200 V 90 A Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-247AD
Descriptions
Descriptions de onsemi NGTB40N120FLWG fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT, 1200 V, 40 A, FS1 Solar/UPS
Igbt, Single, 1.2Kv, 80A, To-247
IGBT Transistors 1200V/40A IGBT SOLAR/UPS
260KW 2V 2.2V@ 15V,40A 80A TO-247-3 21.08mm
NGTB40N120FLWG, 80 A 1200 V, 3-PIN TO-247
IGBT, 1200V, 40A, TO-247-3; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 260W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation260 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation260 W
Reverse Recovery Time200 ns
Dimensions
Height21.08 mm
Length16.26 mm
Width5.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité