onsemi NGB8206NG
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-09-30
LTD Date2010-03-30
Pièces détachées
onsemiNGB8206NTF4
20 A, 350 V, N-CHANNEL D2PAK IGNITION IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel
onsemiISL9V2040S3S
EcoSPARKTM 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT | IGBT 430V 10A 130W TO263AB
STMicroelectronicsSTGB7H60DF
H Series 600 V 7 A Surface Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - D2PAK
Descriptions
Descriptions de onsemi NGB8206NG fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3-Pin (2+Tab) D2PAK Rail
IGBT 390V 20A 150W D2PAK / IGBT 390 V 20 A 150 W Surface Mount D²PAK
N-Channel Ignition IGBT 20 A, 350 V
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 20A 350V Ignition N-Channel
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel
IGBTs 20A, 350V, Ignition N-Channel
NGB8206NG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage390 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)390 V
Continuous Collector Current20 A
Current Rating20 A
Fall Time14 µs
Max Collector Current20 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rise Time8 µs
Turn-Off Delay Time5 µs
Turn-On Delay Time8 µs
Voltage Rating (DC)350 V
Dimensions
Height4.83 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité