onsemi NDT456P
$ 0.601
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -28.40%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi NDT456P, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | 3D | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMN3032LE-13
N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
InfineonIRLL3303PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
Descriptions
Descriptions de onsemi NDT456P fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET P-Channel 30V 7.5A 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 / Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
MOSFET, P, LOGIC, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7.5A; Current Temperature:25°C; External Depth:7.3mm; External Length / Height:1.7mm; External Width:6.7mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:3W; Power Dissipation Pd:3W; Pulse Current Idm:20A; SMD Marking:456; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:-1.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:-3V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -28.40%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight250.2 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Current Rating-7.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-65 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max30 mΩ
Resistance30 mΩ
Rise Time65 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width6.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité