onsemi FDT459N
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2020-10-09
LTD Date2021-04-09
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
InfineonIRLL3303TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
Diodes Inc.DMN3032LE-13
N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
InfineonIRLL3303PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDT459N fournies par ses distributeurs.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 6.5A, 35mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
6.5A, 30V, 0.035OHM, N-CHANNEL,
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight250.2 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance365 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Rds On Max35 mΩ
Rise Time8.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.7 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité