onsemi FDT457N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
$ 0.339
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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.339
$ 0.36
Stock
325,745
2,529,311
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
850 mV
30 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
6.5 A
Threshold Voltage
1.6 V
1 V
Rds On Max
60 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
16 V
Power Dissipation
3 W
3.3 W
Input Capacitance
235 pF
330 pF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiNDT454P
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -5.9A, 50mΩ
onsemiFDT439N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.5V Specified, 6.3A, 45mΩ
onsemiFDT459N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 6.5A, 35mΩ
STMicroelectronicsSTN4NF03L
N-Channel 30V - 0.039 Ohm - 4A - SOT-223 STripFET(TM) POWER MOSFET
Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm 9.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
Diodes Inc.DMN3032LE-13
N-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223

Descriptions

Descriptions de onsemi FDT457N fournies par ses distributeurs.

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
3W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 5.9nC@ 5 V 1N 30V 60m¦¸@ 5A,10V 5A 235pF@15V SOT-223-4 6.5mm*3.5mm*1.8mm
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:5A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDT457N.