onsemi NDPL180N10BG
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-10-30
LTD Date2018-04-30
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP310N10F7
N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronicsSTP120NF10
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
onsemiFDP027N08B-F102
N-Channel 80 V 2.7 mOhm 178 nC Flange Mount Power Trench Mosfet - TO-220
InfineonIPP023N10N5AKSA1
TRANSISTOR, OPTIMOS 5 POWER MOSFET, N-CHANNEL, NORMAL LEVEL, 100V, 120A, TO220
InfineonIPP030N10N5AKSA1
IPP030N10N5 Series 100 V 120 A OptiMOS 5 Power Transistor MOSFET - TO-220-3, PG-TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi NDPL180N10BG fournies par ses distributeurs.
Mosfet Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0025 Ohm, 15 V, 4 V
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power MOSFET, 100V, 3.0mΩ, 180A, N-Channel
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 180A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 15V; Threshold Voltage Vgs: 4V;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.95 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Rds On Max3 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time185 ns
Turn-On Delay Time95 ns
Dimensions
Height15.7 mm
Length10 mm
Width4.5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité