onsemi FDP027N08B-F102
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIPP020N08N5AKSA1
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPP023N08N5AKSA1
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP240N10F7
N-channel 100 V, 2.85 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP027N08B-F102 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 80 V 2.7 mOhm 178 nC Flange Mount Power Trench Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 223A, 2.7mΩ
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.53 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation246 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation246 W
Rds On Max2.7 mΩ
Rise Time66 ns
Turn-Off Delay Time87 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Dimensions
Height19.85 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité